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hpmicro
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使用 ATTR_PLACE_AT_WITH_ALIGNMENT(".fast_ram", 4) int a=1;将变量存放在dlm ram里的时候，启动后变量a的值未能初始化。 使用sdk自带的工具链时会出现这个问题，SEGGER Embedded Studio for RISC-V 里不会出现。 应该是在reset.c里没有对应的初始化代码，.ld的链接文件里缺少对应的定义信息。
# CMake 环境: ``` $ cmake --version cmake version 3.25.1 CMake suite maintained and supported by Kitware (kitware.com/cmake). ``` # 相关代码 if(NOT DEFINED $ENV{HPM_SDK_BASE}) message(FATAL_ERROR "HPM_SDK_BASE is not set yet")...
https://github.com/hpmicro/hpm_sdk/blob/7440098831b16ed0b14e97004441bcabcc3f19b2/boards/openocd/hpm5300_all_in_one.cfg#L32 并不存在 hpm5361.cfg，应该替换为 hpm5300.cfg？
I'm trying to get a `Hello World` sample project running for my `HPM6200EVK_RevB` board. Unfortunately, I got stuck. I followed all the installation steps pointed out on https://github.com/hpmicro/hpm_sdk The only...
vector.h文件25行，在使用RTOS，且中断使用向量模式时，中断向量表0位置应该放置RTOS的trap_handler 而不应该再放置irq_handler_trap，所以为了兼容是否使用RTOS、是否使用中断向量模式，是否应该修改为 " .set default_isr_trap, HANDLER_TRAP"
基于SDK1.5.0，自制的HPM6360开发板，使用SDK提供的/drivers/femc/sdram样例进行测试，使用SEGGER IDE 8.10d。 程序在ILM上执行，CPU频率480MHz，AXI总线频率160MHz，FEMC频率166MHz（我理解在这里SDRAM Clk和FEMC同频率），用宏定义展开读写操作。结果大约是：DCache ON，读取131292.67 KB/s，写入117288.14 KB/s；DCache OFF，读取23566.82 KB/s，写入33216.41 KB/s。 把相同的测试函数移植到STM32H723的开发板上。程序在ITCM上执行，CPU频率480MHz，AXI总线频率240MHz，SDRAM控制器频率166MHz，SDRAM Clk频率100MHz。结果大约是：DCache ON，读取127069.32 KB/s，写入187245.71 KB/s；DCache OFF，读取54175.98 KB/s，写入187078.68 KB/s。接近理论的吞吐上限。 我尝试过把CPU频率提升到648MHz（无影响），AXI总线频率提升到240MHz（无影响），把FEMC频率提升到200MHz（提升约10%）。我还简单调试了一下FEMC配置的参数和编译器优化等级（O0->O3 fast），调整后的测试结果和SDK原有代码的结果相比基本没有变化。想了解一下这是硬件设计上的限制还是有其他优化的方向？谢谢。
