李家明

I use vscode to open and run the demo, but I get the error: `[main] Building folder: A-hello-cmake [proc] Executing command: "C:\Program Files (x86)\GNU Arm Embedded Toolchain\10 2021.07\bin\arm-none-eabi-gcc.exe" -v [main]...

安装错误

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在 Zip 中找不到 extension/package.json。

我是用VScode打开运行，编译器是arm-none-eabi-gcc，但是运行错误

TSDB设置10K的BUFF SIZE时，写入的数据不能迭代查询

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代码如下： ``` struct fal_flash_dev nor_flash = { .name = NOR_FLASH_DEV_NAME, .addr = 0, .len = 512*1024, .blk_size = 16*1024, .ops = {init, read, write, erase}, .write_gran = 1, }; static...

两个不同的flash如何设置FDB_WRITE_GRAN

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项目中使用到Flash-DB，划分了多个分区，有的分区在SPI_Flash芯片上，有的分区在内部flash上。现在的问题是：内部flash的写入颗粒度是4字节（32bit），而SPI-Flash的写入颗粒度是1bit，如何配置FDB_WRITE_GRAN？我配置成1后，由于内部flash的写函数必须4字节对齐，但是使用过程中，有些数据的写入，fal_partition_write函数传入的地址参数和大小参数，都不是4字节对齐的，这会导致内部flash的写入失败，如何解决？

一个分区，能使用多个数据库吗？

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``` ** * The time series database initialization. * * @param db database object * @param name database name * @param path FAL mode: partition name, file mode: database saved...