shihang-zhang

@armink , 您好。请问在KVDB启动后，如果没有发生数据点读写动作，因此cach table还是空的，此时读写数据点的访问速度应该是比较慢？我理解FlashDB此时应该是在Flash分区里面去遍历查找数据点？ 请问可以通过什么方式来提高KVDB刚刚启动后的数据点访问速度？是否通过减小Flash分区的大小可以提高访问速度？

support of write grain 64

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Hi @armink, Some of the MCU internal Flash from ST has 64bit write grain. Can I easily make changes to FlashDB to support it? Thanks.

调大FDB_GC_EMPTY_SEC_THRESHOLD后，部分Flash sector一直没有被使用

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Hi @armink, 因为GC耗时过长，我们想通过调整FDB_GC_EMPTY_SEC_THRESHOLD的设置，让GC的时候擦除的块变少，从而减小GC的时间。但是发现下面的问题。 实验过程中不停的更改数据，总共128个sector，threadhold 设置为125。发现FlashDB只对sector0，sector1和sector2 有擦除操作，其它块没有操作。等于剩余的块没有参与操作。 请问我们可以通过什么办法，减小GC的耗时，最后只擦除相对少的块。 多谢！