请教fdb_write_gran相关问题

[nstopb828]

你好~假如需要在一个工程中同时在stmflash和winbond建立数据库 该如何配置fdb_write_gran这个参数呢， 我看到官方demo是在rtconfig.h文件中有个总的fdb_write_gran 参数，同时fal层的fal_flash_dev中也可以定义本对象的write_gran，但是关闭fdb_write_gran后 结构体中的write_gran参数似乎没起作用，提示写入失败。

[armink]

如果两个 Flash 的写粒度不一样，只能取大的那个（比如你的 STM32 onchip flash）配置到 fdb_cfg.h

[nstopb828]

我在邮件中回复了，可能你没看到，谢谢解答。此外，测试发现单分区情况下 如果已存数据较多，往后的读取和写入会越来越慢，常用做法是不是划分多个分区，调用flashdb之前先在应用层判断一下放哪个分区。